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Las economías domésticas

Benjamín Hernández Blázquez. Universidad Complutense de Madrid.

A caballo entre dos estaciones, el noveno mes del almanaque inicia su trayectoria al extinguirse las vacaciones que, como portillo abierto al regocijo de libertad son ya eventos del pretérito. La sociedad española que recupera su ritmo normal, casi siempre topa con multitud de cosas sin hacer, lo que dejan "para septiembre", y sólo nos percatamos del valor del tiempo cuando ya nos ha fagocitado. La resaca y el cansancio van dejando la mayoría de los pueblos sumidos en el silencio y la melancolía tras el jolgorio y los excesos de las fiestas patronales. Niños y jóvenes se preparan para el futuro, empiezan las clases, es el año nuevo para ellos, el de verdad y no al almibarado navideño para el que falta un cuatrimestre y tantas cosas por delante. A los mayores les tocará soportar la depresión post vacacional, que les costará adaptarse, pero terminarán haciéndolo, aunque lo más problemático y lo determinante de este mes es la difícil economía.

A esta empinada cuesta, desde un decenio para acá, se han sumado los ocho millones de personas que tienen sus ahorros en renta variable, cuyo 30% está en manos de familias. Atrás quedó lo de guardar las "perras" en un calcetín o debajo del colchón; el español está adquiriendo mentalidad inversora arriesgando sus ahorros en los mercados bursátiles, bien directamente o a través de fondos de inversión. Según un estudio de la Bolsa de Madrid, la primera del país, el 51,3% del ahorro de los hogares españoles está diversificado en acciones, que por otra parte son los ciudadanos de la Unión Europea que más arriesgan.

Estas variables que conforman al ahorrador inversor pueden generar consecuencias negativas en el consumo y en el crecimiento, que hasta el verano no se han resentido en demasía, dado que la economía ha creado empleo de manera continua y asimismo los tipos de interés son asumibles. El génesis de plusvalías en las Bolsas que se inició en la última década, fue un motor de la economía ya que catalizaba la inversión y el consumo; así las cías. más poderosas crecían, consecuentemente repartían dividendos y a la vez se revalorizaba su cotización bursátil. En los últimos meses de este año sucede lo contrario, y a los inversores llega una crisis de confianza; los beneficios convergen en pérdidas, las empresas podan puestos de trabajo y las acciones de derrumban y aunque no se ha producido una huída masiva de pequeños accionistas, juegan a la defensiva aguantando el temporal, y esperando que amaine en este trimestre, como los zaracatines medievales cuando atizaban las crisis de precios de los tejidos.

La dramática caída de las nuevas economías, ha arrastrado a los mercados de capitales de la Unión Europea que iniciaron su ocaso el verano de 2000; la desconfianza que incide repetidamente en los mercados financieros está sincronizada con los inversores sobre la fiabilidad de las grandes empresas de la Unión Europea, USA y Japón. Es el resultado de la incidencia de las principales variables del mercado: las compañías auditoras faltaron a su cometido al no calificar correctamente los resultados, los consejos de administración no cumplieron con todos los accionistas, y las autoridades bursátiles optaron por mirar a otra parte en vez de afrontar e intentar resolver escándalos financieros como el año pasado en España.

Las fuertes caídas de las Bolsas europeas han hecho reflexionar a multitud de inversores sobre las personas que detentan el dinero: gestores y sistemas. Por eso el escepticismo de millones de inversores potenciales han dejado de creer en las parciales e interesadas recomendaciones de técnicos e intermediarios. Asimismo, en un entorno marcado por la Unión Europea, la globalización de las actividades bursátiles ya sólo puede ser entendido bajo una óptica de diversificación internacional que permita a los gestores racionalizar los niveles esperados de riesgo y rendimiento. Los inversores domésticos de la Europa del Euro, entre ellos los referidos ocho millones de españoles que tienen un peso específico importante, analizan sus cuentas en estos difíciles inicios del curso económico. "En septiembre el que no tenga ropa que tiemble".

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Los responsos del santo

Benjamín Hernández Blázquez. Universidad Complutense de Madrid.

En Arcella, lugar próximo a Padua, una mañana de junio y recostado sobre un jergón, Antonio notaba cómo la vida salía de él lentamente, igual que el líquido de un odre agujereado. Por las rendijas de la puerta de su celda penetraba el sol dorado que barruntaba el estío y se filtraba a través de una higuera, dejando sus huellas en las losas; pajarillos multicolores gorgojeaban y se posaban en su yacija, como si la estancia estuviera vacía. Alguien preguntó al santo por sus muchos milagros; en el último paroxismo contestó lúcidamente que no recordaba uno sólo: "¡el único hecho milagroso fue que, a pesar de haber cambiado tantas veces mi camino en la vida, no me he perdido! Y todo desde que salí de Lisboa, allá donde termina la tierra y empieza un mar que no tiene fin". Todo aconteció el 13 del referido junio del año 1231.

Por tales hechos milagrosos lo entendieron escultores como Donatello que los plasmó en los bajorrelieves del altar mayor de la basílica de su nombre; o pintores, desde la esplendidez de Murillo, a los trazos vigorosos de Goya, la personalidad de Rubens, o en la Exposición de Venecia que nos presenta a San Antonio como una de las obras más originales del genial Tiziano que retrató su vida y milagros confundiendo espacios y objetos en una sola dimensión. Pero mejor que estas eternas imágenes, el retrato más relevante del santo lo tenemos en sus escritos y en los denominados "Sermones Dominicales y Festivos", estudiados por varios Pontífices en el siglo pasado, con motivo de la declaración de "Doctor Evangélico" por Pío XII. Textos que nos transmiten sus palabras y reflexiones expresadas con claridad y con extraordinaria riqueza de recursos escriturísticos y literarios.

Desde la publicación de tres cartas que atrajo la atención de los respectivos Papas: Pío XI en 1931, Pío XII en 1946 y hace siete años Juan Pablo II, con motivo del "VII centenario del nacimiento de San Antonio", su figura ha adquirido una perspectiva nueva, a pesar de todas las idealizaciones de la iconografía y de algunas tradiciones, en la que sobresale su hondo conocimiento evangélico coherente con su trayectoria humana y a la vez sincronizada plenamente con su devenir social.

Empero, la figura de San Antonio, desde hace muchas centurias, se jerarquiza sobre todo como santo popular, el que vela por los objetos perdidos, el de los responsos o respuestas que hacía a las numerosas peticiones sobre desaparición de cosas; desde los típicos del mundo rural medieval hasta, ya en tiempos más modernos, la devoción de las modistillas casamenteras con sus alfileres, que en la ermita denominada en Madrid San Antonio de la Florida, a través de Carlos III y Goya, dieron pábulo a nuevas historias que cristalizaron en hechos extraordinarios. Todos fraguaron los 53 milagros denominados oficiales, aunque a este inventario podrá agregarse el del atleta italiano que fue campeón del mudo de 10 000 metros cuando a los tres años era paralítico.

La historia de personajes egregios en vida, nos muestra que con la muerte se hable de su nacimiento, pues todo retorna a su origen. San Antonio nació en Lisboa a finales del siglo XII y fue bautizado con el nombre de Fernando; entonces el renacimiento de la vida comercial y urbana reunió poblaciones y agitó los espíritus. Aquí creció, inmerso en multitud de amigos, hasta que "una ráfaga interior le condujo a evadirse del mundo" y, aún adolescente, accedió a un monasterio. Todos los biógrafos coinciden en que leía mucho y, dotado de memoria excepcional, aprendió los textos de las Sagradas Escrituras y asumió todas las hagiografías que conoció.

En la vecina capilla de Olivares, dedicada a resaltar las vivencias de San Antonio Abad, encontró el joven Fernando la guía de su vida, sirviéndole de inspiración para cambiar su nombre por Antonio y enterrar definitivamente el antiguo, con los votos de pobreza. Pasó así de ser predicador entre cristianos a evangelizador de infieles y a ello le enviaron los franciscanos a Marruecos, ya en pleno siglo XIII, decenios que concebían la actividad del espíritu como algo rígidamente unitario, años turbulentos; en Castilla reinaba Fernando el Santo y empezaba a germinar el espíritu de las universidades. Cuando predicaba cerca de Fes, enfermó de paludismo, temiéndose por su vida, por lo que intentó regresar al reino de Portugal, pero vientos violentos convulsionaron el rumbo de la nave dirigiéndola a Sicilia y este azar histórico hizo que el resto de su protagonismo no saliera del escenario italiano.

La Padua medieval junto al río Retrone era una ciudad grande y próspera, bullía en fermentos de arte y cultura; su universidad había alcanzado una gran fama en Europa y los estudiantes le daban colorido único. Pero, como en otras ciudades italianas, moraba un grupo de ricos junto a una multitud de pobres arruinados por los usureros. La predicación de San Antonio marcó un antes y un después en esta ciudad; para los paduanos es ‘il santo’ sin más, en detrimento de Santa Justina y San Prosdócimo, santos oficiales de Padua.

Hoy, en la basílica románico-gótica de San Antonio, gentes de todo el orbe hacen cola para tocar la tumba del santo, curiosear sus reliquias y pedirle gracias o, si ha lugar, indulgencias. Como las preconizadas por los Papas Alejandro IV y Gregorio IX, iniciadas en Barcelona, en los primeros años de rodaje de la devoción, o las actuaciones paralelas que hallamos en el siglo XIII en varios conventos castellanos como el de Santa Clara en Salamanca.

Este año 18 municipios salmantinos, es decir, uno de cada veinte, el jueves 13 de junio se acordaron de la variada vida del santo portugués; entre ellos el lejano Tejado, uno de los 73 del partido judicial de Béjar, que confunde su alfoz, casi tangencial con tras dos provincias, a mitad de camino entre la arqueología del Berrueco y la literatura del Tormes. El sobrio trabajador del campo castellano, de graníticos canchales y yermos cabezos, extrapolará esta fecha actualizando los responsos de San Antonio de Padua, a la par que esperará que las respuestas de la triple administración catalicen el equilibrio del campo con otros sectores, siempre en armonía, la que acontecía cuando el Doctor Evangélico, con su oratoria, atraía a las masas populares medievales.

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Breve presentación de los semiconductores

Arturo Pérez París. Universidad de Alcalá.

Introducción

En números anteriores se presentó la implementación semiprofesional de placas de circuito impreso. En esta ocasión, hemos creído pertinente dar a conocer el proceso de fabricación de algunos dispositivos utilizados en los circuitos electrónicos así como sus propiedades. El trabajo, dada su extensión, lo hemos dividido en varias partes, como viene siendo habitual. En la anterior entrega tratamos de la fabricación de resistencias, condensadores, bobinas y núcleos comúnmente utilizados, transformadores y relés, los llamados componentes electrónicos pasivos. En el presente artículo haremos una breve y somera presentación de los semiconductores y sus más frecuentes aplicaciones.

Hace un tiempo, en un programa de televisión, escuché algo que me llamó la atención. Creo que fue el director de la revista Año Cero, quien comentaba que la tecnología basada en semiconductores era de procedencia extraterrestre y que empezó a desarrollarse a partir de los sucesos de Roswell. Yo, francamente, me sorprendí. ¿Cómo era posible tan poca memoria científico – histórica? Lo peor no es que este señor se creyera esto (o no, quien sabe), sino que al decirlo por la "sacrosanta" televisión provocó que mucha gente le tomara en serio, y lo que es peor, aceptaran semejante "barbaridad". No entraré en el debate de la existencia de extraterrestres. Dudo que seamos el único planeta con vida "inteligente" en todo el cosmos. Creo también que debido a lo enorme del universo, los contactos entre civilizaciones, de producirse, serán poco frecuentes. Mas cuando se produjeran, ¿no serían algo tan insólito y de tal envergadura que todos nos enteraríamos sin lugar a dudas? Veamos, si nos enteramos de las idas y venidas del "famosete" de turno ¿cómo podría ocultarse la toma de contacto de dos civilizaciones a escala planetaria con la intrincada red periodística que existe hoy por hoy?

Francamente, esto me recuerda aquella ocasión, a mediados del siglo pasado, cuando a los avances tecnológicos y científicos, determinados sacerdotes y hombres de religión de dura cerviz los calificaban de "manifestaciones del maligno". Personalmente me parece que después de los últimos sesenta años el maligno debería estar no rojo, sino verde de envidia por los niveles que hemos alcanzado, pudiéndole enseñar más de una y más de dos cosas. En fin, esa es otra historia.

Volvamos a nuestro tema. A lo largo de este artículo procuraré explicar la procedencia, principios y procesos de fabricación de los transistores, base de los circuitos integrados (chips) en los que algunos tratan de encontrar "hombrecillos verdes".

Aunque las primeras propiedades de los semiconductores, estudiadas por Faraday y Becquerel, se remontan a los años 1833 y 1839, solamente a comienzos de este siglo se empiezan a estudiar las aplicaciones electrónicas de éstos. En 1923, Schotlky publicó una teoría sobre los rectificadores, mas hasta la segunda guerra mundial (1939 - 1945) no se utilizaron. Aunque durante este periodo se les dio un gran impulso, fue en 1948 cuando Brattain y Bardeen, trabajando en los laboratorios Bell Telephone de los EE.UU., descubrieron el transistor de puntas de contacto. En 1949, en los laboratorios Schockley se desarrolló el primer transistor de unión y, a partir de esta fecha, se desarrollan con una gran profusión. En la actualidad hay muchos tipos, para muy variadas aplicaciones: Diodos, Túnel, Tiristores, Diacs, Triacs, Transistores MOS, MOS-FET, BJT, etc.).

Algunos de los motivos, por los cuales se han desarrollado con tan gran rapidez los componentes en estado sólido (semiconductores), frente a las válvulas de vacío que les precedieron son los siguientes:

Aunque también presentan los inconvenientes que, a continuación, se comentan, subsanables, no obstante, a corto – medio plazo:

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El Material Semiconductor

En la mayoría de las sustancias sólidas naturales, como consecuencia de la peculiar interacción de sus átomos durante la solidificación, éstos se ordenan formando planos en distintas direcciones que dan, como resultado, una figura poliédrica. Esta estructura recibe el nombre de cristal y es característica para cada sustancia, pues debido a que los ángulos formados por caras contiguas se mantienen constantes, todos sus cristales resultan figuras semejantes:

Las interacciones entre átomos son de tres géneros y dan lugar a las tres clases de enlace: Iónico, Covalente y Metálico. Los tres son de mucha importancia; los dos primeros por ser los que actúan en los compuestos químicos, y el último, por sus propiedades, que caracterizan a los metales, de entre las cuales la más importante es la conductividad. Para el caso que estamos tratando en el presente artículo, nos basta con conocer el enlace covalente.

Este enlace se caracteriza porque los electrones de valencia son compartidos dos a dos por los átomos colindantes; esto es, cada átomo aporta un electrón y esta pareja, formando un todo coordinado, gira alrededor de los dos átomos. A continuación se representa la estructura cristalina del Ge, en la que se ven cuatro átomos de este material con sus cuatro electrones de valencia en su capa externa de manera esquemática, donde aparecen cuatro enlaces covalentes:

Se sabe que los electrones orbitan en una determinada capa, dependiendo de su energía. Además también sabemos que hay zonas, en las cuales los electrones se ven sometidos a la influencia de varios núcleos estando semilibres. Esto da lugar a definir unos nuevos conceptos, que se llaman bandas de energía, que son las regiones, en las que los electrones tienen una misma energía:

Banda saturada: Es la zona más próxima al núcleo que, como se sabe, contiene el número máximo de electrones admisibles.

Banda de valencia: Son las zonas en las que los electrones son semilibres (recuérdese que, en el enlace covalente, los electrones orbitan alrededor de los dos átomos.

Banda de conducción: En general, no todos los electrones de la banda de valencia pueden moverse por el cuerpo, así que se define esta nueva banda y es por la que circulan los electrones que tienen suficiente energía para ello.

Bandas prohibidas: Entre las diferentes bandas existen unas zonas en las cuales no hay ningún electrón (téngase en cuenta que los electrones se sitúan en capas correspondientes a niveles cuánticos enteros de energía). A estas zonas se les llama bandas prohibidas.

Atendiendo a estos conceptos de bandas de energía, se puede obtener una definición de conductor eléctrico. Así, se dirá que es conductor aquel material en el que la banda de conducción se solapa con la de valencia. Un aislador, por el contrario, tiene entre la banda de valencia y la de conducción una banda prohibida de varios eV (eV: electrón voltio, es decir, energía adquirida por un electrón al ser acelerado mediante una diferencia de potencial de un voltio). Supóngase un metal conductor, a una determinada temperatura. En la banda de conducción existirán algunos electrones. Si, por el contrario, se tiene un material aislante, a esa misma temperatura no existirá ningún electrón en la banda de conducción y sí en la de valencia. Por lo tanto, para conseguir llegar a la banda de conducción, hay que proporcionar energía a los electrones de la banda de valencia.

Si la banda prohibida es muy ancha, será necesaria mucha energía; por lo cual, cuanto más ancha sea la banda prohibida, más aislante es el material. Si, por el contrario, la banda prohibida no existe, la de conducción se superpone con la de valencia y el material será un buen conductor. Entre ambos tipos de material existen otros que amplían nuestra clasificación: los semiconductores. Como la misma palabra indica, no son muy buenos conductores, pero tampoco son aislantes, por lo que su resistividad es intermedia, y su banda prohibida no es como en el caso de la aislante de unos eV, sino sólo de, aproximadamente 1 eV.

Por consiguiente, los semiconductores se caracterizan por tener una banda prohibida, entre la de conducción y la de valencia, pero no muy ancha. Ello marca la diferencia esencial con los conductores, que no la tienen, y con los aisladores, que al ser tan ancha no pueden saltar las cargas que producen la conducción. Por otra parte, los elementos semiconductores tienen cuatro electrones en su última capa, lo que hace que su cristalización se realice por enlaces covalentes. Esta clase de enlace posibilita el salto de los electrones compartidos a la banda de conducción para las aplicaciones posteriores.

Resumiendo:

por tanto, habrá que hacer saltar los electrones de los enlaces covalentes de la banda de valencia a la banda de conducción.

A temperatura ambiente, los átomos de un semiconductor no suelen tener todos los enlaces covalentes saturados; esto hace que existan algunos electrones en la banda de conducción que han tenido suficiente energía térmica para liberarse de la atracción de su núcleo. Estos electrones son muy pocos, debido a la gran estabilidad del enlace covalente. Con esto, debemos introducir un nuevo concepto que, a primera vista, puede parecer un artificio: el elemento en la conducción denominado como hueco. Cómo antes se ha dicho, los átomos se unen en todo el cristal mediante enlaces covalentes y, por tanto, si un electrón (de los dos compartidos de un enlace) es extraído del enlace, quedará una vacante o hueco, que podrá ser llenado por otros electrones, que se inyecten en el material. Se dice, por tanto, que en la conducción de los semiconductores interviene el par electrón-hueco, a saber, como se muestra en la siguiente figura:

Así las cosas, se define como hueco la ausencia de carga en una posición del átomo en que debería existir. A esta ausencia de carga se le da, por convenio, el signo positivo, como consecuencia de que el átomo, sobre el que orbita, se ha quedado con un protón más en su núcleo que electrones tiene en la corteza (recuérdese que el hueco aparece por ausencia de un electrón del enlace covalente). En la anterior figura, se observa cómo, sometido un cristal de germanio a la acción de un campo eléctrico E, los huecos se desplazan en el sentido del campo y los electrones en el contrario, lo cual corrobora la idea afirmada de que los huecos tienen carga positiva. A fin de cuentas, podemos afirmar que la conducción en los semiconductores se realiza por portadores de carga, pares electrón-hueco, de los que el primero es negativo y el segundo será positivo, sin "buscarle más pies al gato".

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Clasificación de los semiconductores

Los semiconductores más utilizados son el germanio y el silicio. Ahora bien, como se sabe, purificar un material al cien por cien requiere procesos muy costosos, lo que hace que los materiales que se usan contengan muchas impurezas. Por la cantidad de éstas en su composición, se pueden clasificar los semiconductores en:

Semiconductores intrínsecos: Son los que prácticamente carecen de impurezas; un átomo de impureza por cada 10¹¹ átomos de semiconductor. En estos semiconductores, que se pueden considerar casi puros, la conducción se realiza por pares electrón-hueco, producidos por generación térmica, de modo que cuanto mayor es el calor, mayor es la cantidad de portadores de carga libre y menor su resistividad. Debido a esta clase de conducción, estos semiconductores suelen emplearse como elementos sensibles a la temperatura, ya que, a bajas temperaturas, hay pocos pares electrón-hueco y se comportan como materiales casi aislantes, pues todos los enlaces están completos y no hay candidatos a ser portadores de carga. Por el contrario, cuanto mayor es la temperatura, mayor es el número de pares electrón-hueco y, por consiguiente, la resistividad disminuye.

Semiconductores extrínsecos: Son los que poseen un átomo de impureza por cada 10⁷ átomos de semiconductor. Además, estos átomos de impureza, más numerosos que los del semiconductor intrínseco, suelen tener tres o cinco electrones de valencia, a fin de que les sobre o les falte un electrón para completar los enlaces covalentes. Al tener portadores independientes de la generación térmica, la resistividad de éstos semiconductores es menor que la de los intrínsecos. Su conductividad será mayor cuanto mayor sea el número de portadores libres, y, por tanto, aumentará con el número de impurezas. La aplicación de este tipo de semiconductores da lugar a los dispositivos más importantes, transistores, diodos etc., que se basan en el control de los portadores de carga, electrones o huecos. Como hemos mencionado, los átomos de las impurezas suelen tener tres o cinco electrones de valencia, lo que permite subdividir estos semiconductores en dos tipos de gran importancia:

Tipo N: Si en una estructura cristalina se introduce un átomo que tenga cinco electrones de valencia (por ejemplo As, Si ó Sb), cuatro de estos electrones se unirán con otros cuatro, uno de cada uno de los átomos cercanos y formarán los cuatro enlaces covalentes. Mas el quinto electrón quedará libre y podrá extraerse, con relativa facilidad, de la acción de su núcleo, ya que se encuentra muy cerca de la banda de conducción del semiconductor. A temperatura ambiente (20 °C), el electrón se encuentra en la banda de conducción y, por tanto, podrá actuar como portador de carga negativa (véase la figura 6).

Si el número de impurezas es grande, el número de electrones, libres por este motivo, a temperatura ambiente, será superior al número de pares electrón-hueco producidos por generación térmica. De esta manera, se pueden clasificar los portadores de carga en mayoritarios y minoritarios. Por ello, a los átomos de impurezas de estos semiconductores se les llama átomos donadores, porque proporcionan electrones y quedan cargados positivamente (iones +) debido a su pérdida de electrones.

Tipo P: En el apartado anterior vimos que, al introducir átomos de impurezas que tenían cinco electrones de valencia, se constituía un semiconductor extrínseco de tipo N. Si, por el contrario, los átomos de impureza son de tres electrones de valencia (por ejemplo In, Be ó Al), los cuatro átomos de semiconductor no podrán compartir sus electrones con el átomo de impureza ya que, utilizando sus tres electrones, tan sólo se podrán formar tres enlaces covalentes, quedando el átomo semiconductor del cuarto enlace con un hueco en él, que podrá ser llenado con los electrones de los átomos próximos. A temperatura ambiente, el hueco ya no se encontrará localizado en el átomo de impureza, sino que será libre en el cristal y se utilizará como portador de carga en la conducción.

Al igual que en los semiconductores tipo N, cuando el número de impurezas es grande, existirán, a temperatura ambiente, más portadores huecos, que pares electrón-hueco. Por ello, a los átomos de impureza se les llama aceptadores, porque reciben electrones de los átomos del semiconductor para proporcionar huecos como portadores de carga y quedan cargados negativamente (iones -).

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El diodo

A partir de estos semiconductores extrínsecos, como ya adelantamos, se implementan los dispositivos electrónicos de estado sólido que conocemos. El diodo semiconductor es conocido de muy antiguo; basta recordar el cristal de galena, utilizado en los primeros aparatos de radio. Posteriormente, fue desbancado por el diodo de vacío con la importancia que adquirieron las válvulas de emisión termoiónica, sin embargo, fue a partir de 1920 cuando se empezó a utilizar el rectificador de selenio y de óxido de cobre. Aquel año, como ya se ha dicho, se publica una teoría sobre los rectificadores y se vienen utilizando en este campo con gran profusión hasta hace pocos años, sin intervención de "mano, tentáculos, garras o lo que sea de naturaleza extraterrestre". Con el desarrollo de la electrónica digital o lógica (electrónica para computadoras y mandos industriales) toman tal auge los diodos semiconductores que, en la actualidad, puede decirse que el campo de aplicación de los semiconductores es prácticamente ilimitado.

Si un semiconductor, intrínseco o extrínseco, se conecta a un potencial eléctrico, sólo se conseguirá que, en función de las impurezas, el material tenga más o menos conductividad y que, por consiguiente, circule más o menos corriente. Si se unen dos semiconductores extrínsecos, uno de tipo N y otro de tipo P, se habrá conseguido un diodo semiconductor. Hay que observar que polarizar una zona positivamente es conectarla al potencial positivo de la pila o fuente de alimentación (F.A.); hacerlo negativamente, por el contrario, es polarizar la zona (parte conectada) con el polo negativo de la pila o F.A., es decir:

De esta forma, si se unen dos cristales, uno N y otro P se observará que, al polarizarlos, se introducen electrones en la zona P, en la que hay huecos, y se extraen los electrones de la zona N, donde hay electrones, con lo que llegará un momento en que no existirán portadores de carga en el material y casi se hará nula la corriente. Si, por el contrario, se polarizan en sentido inverso resultará que en la zona N se inyectan electrones y, en la P se disminuyen, con lo que aumentará en ambas el número de portadores de carga y, por tanto, existirá la conducción, a saber:

La zona de contacto entre los dos cristales, tipos N y P, se denomina unión. Se podría pensar que la unión se puede formar fácilmente pegando simplemente los cristales, pero no es así, ya que, no sólo tienen que estar en contacto, sino que, además, deben tener contacto eléctrico. Hay varios métodos para formar la unión, a saber:

Básicamente, producir la unión es lo mismo que intentar mantener la estructura cristalina en la frontera y que la estructura del cristal P continúe con la del N y viceversa:

Hay que recordar que el cristal tipo N tendrá electrones libres (tantos como átomos de impureza) y, por tanto, igual número de cationes (átomos donadores). De la misma forma, en el cristal tipo P habrá huecos y aniones (aceptadores). Puede verse que ambos cristales tienen carga neutra:

Si se efectúa la unión, los electrones del material N pasarán al P para llenar los huecos, creando una zona en la cual no existen portadores de carga. Esta atracción, entre los huecos y los electrones, continúa hasta que los iones de la red cristalina (los átomos de impurezas) equilibran la atracción entre los portadores.

Supóngase ahora un electrón en la zona N. Éste se ve atraído por los huecos de la zona P pero, en la zona de difusión, ya existen algunos átomos aniones y éstos rechazarán al electrón. Si la repulsión de los aniones es mayor que la atracción ejercida por los cationes de la misma zona, el electrón no cruzará la zona de difusión y habrá terminado la recombinación; esta zona, desprovista de carga, suele llamarse zona de difusión. Como consecuencia de la difusión de los portadores de carga hacia el cristal contrario, los electrones de la zona N pasan a ocupar los huecos de la zona P, produciéndose una zona en la que no existen portadores de carga. Ya, en las anteriores dos figuras, se veía que la carga neta del diodo era nula. Después de formada la unión y como consecuencia de la desaparición de estos portadores de corriente mayoritarios, los semiconductores P y N dejan de ser eléctricamente neutros. En el semiconductor P hay una mayor concentración de cargas eléctricas negativas, debido al predominio de iones negativos existentes en la unión; estas cargas no están compensadas ahora, como antes, por los huecos, ya que éstos se han recombinado con los electrones que se difundieron desde la zona N. Por análogas razones, el semiconductor N habrá adquirido una mayor concentración de cargas eléctricas positivas, ya que en él predominan los iones positivos, en la zona cercana a la unión, lo que equivale a que la unión se pueda "suponer" como una pila de unos 0,3 V ó 0,6 V, según sea diodo de germanio o de silicio, respectivamente.

Estas cargas hacen que en la zona se cree un campo eléctrico E_o:

Este gráfico da una idea del concepto de barrera. Si los electrones de la zona N tienen suficiente energía, podrán eludir el frenado producido por el campo E_o, saltarán la barrera y pasarán a la zona P; de lo contrario, no habrá conducción, ya que los electrones intentarán saltar la barrera y no lo conseguirán. Si la barrera es muy alta, no habrá ningún portador que tenga suficiente energía para saltarla, y la unión se comportará como un aislador.

En general, polarizar es aplicar a los extremos de un componente una tensión continua que le mantiene en funcionamiento. De esta forma, polarizar un diodo será hacer que los dos extremos de éste tengan polaridades contrarias. Luego caben dos soluciones, que son:

Se denomina polarización directa, cuando se aplica el polo positivo de la F.A. (fuente de alimentación) a la zona P de la unión y el negativo a la zona N. Con tal conexión, se produce una inyección en las dos zonas de portadores mayoritarios y, como consecuencia, disminuirá la carga neta (las dos cargas) en cada zona, y también el campo eléctrico producido por ellas, con lo que la barrera será más baja y la zona de difusión más estrecha

Esta menor altura de la barrera de potencial se traduce en que todos los electrones, tanto los inyectados como los de impurezas, tendrán suficiente energía para atravesarla y, aun siendo pequeña la tensión V entre bornes, será apreciable la corriente directa. Nótese que se inyectan portadores mayoritarios donde ya los hay, lo que hace que exista una superabundancia y, de esta forma, son más fácilmente atraídos por el borne contrario. Si, ahora, se polariza un diodo semiconductor, según se muestra:

y se efectúan lecturas sucesivas en el voltímetro y microamperímetro, para diferentes posiciones del potenciómetro R, se obtendrá un gráfico semejante al siguiente, donde vemos que, si no hay excitación, la corriente es nula.

Otra forma de polarización es la inversa, obtenida conectando el polo positivo a la zona N y el negativo a la zona P, concretamente:

Obviamente, la zona de difusión ha aumentado su anchura, ya que por el borne de la zona N entrarán huecos y, como las impurezas son electrones, se combinarán, quedando, incluso, algunos que saldrán por el cristal hacia el borne de la batería. De esta forma, se agranda la zona de difusión, porque los portadores mayoritarios son atraídos por la F.A., y la zona desprovista de portadores es más amplia. Como el número de cargas positivas y negativas en la zona de difusión habrá aumentado, también será mayor el campo eléctrico en dicha zona y, por consiguiente, la barrera de potencial será más alta:

Con una barrera tan alta, será muy raro que haya electrones con suficiente energía para atravesarla, lo que hace prácticamente nula la corriente por el circuito, a saber:

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El transistor

Pasemos a la segunda combinación de cristales extrínsecos semiconductores, la que constituye el transistor. Brattain y Bardeen inventaron el primer transistor, denominado de puntas de contacto, que venía a ser, más o menos, como muestra la figura:

Posteriormente, en 1.949, Schockley inventó el transistor de unión, con lo que se dio paso a una nueva era: son estos transistores de unión los que actualmente se utilizan. Básicamente, un transistor está compuesto por tres semiconductores extrínsecos: dos del mismo tipo N o P y otro, contrario P o N; uniendo uno de los iguales con el contrario y volviendo a unir con el restante, se obtendrán dos clases de transistores, uno PNP y el otro NPN.

La zona central de las tres (la diferente) suele ser muy estrecha, mucho menor que las otras dos. Se podría también decir que un transistor es la unión de un semiconductor extrínseco N o P, a un lado o a otro de un diodo semiconductor. La zona estrecha del transistor, que es siempre la central (la emparedada), se denomina base, como consecuencia de que en el primer transistor sustentaba todo el resto. Luego, quedan dos zonas idénticas, o N o P, según sea NPN o PNP; estas zonas se llaman emisor, la una y colector, la otra. Emisor, la primera, porque es la que inyecta los portadores para la conducción y colector, la segunda, porque recibe todo, lo proveniente de la base y el emisor. A primera vista, parece como si cualquiera de estas zonas pudiera ser emisor o colector. Pero no es así: cada una es característica de una patilla. Es fácil descifrar, en un esquema, cuáles son las patillas correspondientes al Colector C, Emisor E y Base B; la misma facilidad entraña el saber si un transistor es NPN o PNP. El emisor es el terminal que lleva la flecha; la base es la que sujeta el esquema y lo soporta; y el colector, el restante, no tiene caracterización. Obsérvese que el primer transistor es PNP y la flecha pincha (recuérdese Pincha PNP), y análogamente en un transistor NPN la flecha no pincha (No Pincha NPN).

Compruébese cómo el transistor, mirado desde la base hacia los extremos, se comporta como dos diodos. El diodo base-colector se polariza siempre inversamente. Piénsese que lo que se pretende es controlar la corriente inversa de este diodo, lo cual sólo se puede hacer si se consigue aumentar los portadores inyectando electrones adicionales. Esto se hará a partir de nuestro segundo diodo: el de emisor-base. Para ello, se polariza de forma directa. Si, como ya se ha dicho, la base es muy estrecha, los electrones procedentes del emisor, que van muy acelerados, en vez de escaparse por la base, pasarán a gran velocidad por ella hacia el colector. Este proceso de conducción se llama efecto transistor, que consiste en aumentar la corriente inversa, o corriente de fuga, del diodo colector-base, o inyectar electrones adicionales. Si la base fuese muy ancha, sucedería que, al ser una zona P, existirían huecos que serían llenados por electrones procedentes del emisor y, por tanto, disminuirían los inyectados en la zona de difusión base-colector (por eso se construye la base más estrecha). Si se disminuye o aumenta la inyección de portadores mayoritarios, disminuirá o aumentará la corriente de colector; esto también se puede explicar diciendo que, cuando se varía la resistencia base-emisor, cambia también la resistencia base-colector; de ahí el nombre de TRANSISTOR: TRANsfer reSISTOR (cambiador de resistencia).

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Fabricación de componentes de estado sólido

Por último trataremos la fabricación de elementos semiconductores. Desde el descubrimiento de las aplicaciones de éstos al campo de la electrónica se han desarrollado muy diversas técnicas para obtener los mejores rendimientos y más amplia gama de dispositivos fabricados, con el fin de cubrir todas las necesidades posibles. Estas técnicas son aplicables a todos los elementos que se producen con materiales semiconductores mas, en el presente estudio, se explican aplicados a los transistores, a saber:

Transistor de puntas de contacto: Es el procedimiento más antiguo y, en nuestros días, ya ha caído en desuso esta técnica. No obstante, a título de curiosidad, se explica aquí su fabricación. Sobre una pastilla de material semiconductor, de tipo N, se introducen las puntas de dos alambres de bronce fosforoso con separación de unas centésimas de milímetro. Los átomos de los alambres de contacto se esparcen dentro de la pastilla (base), creando dos regiones del tipo P, que forman el emisor y colector. Este es el transistor que mostraba la figura 23.

Transistor de aleación: Sobre una oblea de material semiconductor tipo N, que constituye la base del transistor, se colocan dos pequeñas bolitas de indio, una a cada lado de la oblea, y el conjunto se calienta a elevada temperatura durante un corto espacio de tiempo, de manera que se produce una fusión; al enfriarse, el indio ha creado una zona del tipo P, que forma el emisor:

El colector se forma exactamente igual; pero, se procura que la superficie sea mayor. Las uniones y las superficies suelen ser grandes, respecto de otros transistores, pueden soportar intensidades elevadas y, por eso, se utiliza en etapas de salida. Su funcionamiento en alta frecuencia no es muy bueno, ya que la base es relativamente grande.

Transistor de difusión: Una pastilla de material, tipo P o N, se introduce en un horno, a elevada temperatura, en el que ya existen átomos de impureza, en forma de gas. Transcurrido un tiempo, y tras enfriarse, se comprueba que el gas (por ejemplo, arsénico) ha penetrado en la pastilla, unos micrones. La profundidad alcanzada se puede controlar, fácilmente, con la temperatura y el tiempo de exposición. Aprovechando esta técnica de difusión se fabrica el transistor de aleación difusa. Partiendo de una pastilla de germanio, tipo P, que forma el colector del transistor, mediante vapores de un elemento donador se forma una capa N sobre la pastilla. Sobre la misma cara de la pastilla se colocan dos bolitas, una con impurezas N y P y la otra, con impurezas sólo N. Sometiendo este conjunto a un tratamiento térmico, las bolitas se difunden por la capa N con que se había dotado a la pastilla. Gracias a las características de los materiales se consigue que los átomos de impureza N penetren más que los P y formen una zona N. Por el contrario, dos átomos, que casi no han penetrado, forman una zona P, que constituirá el emisor:

De esta forma y, por el siguiente orden, queda constituido el transistor:

Transistor de barrera superficial: A una oblea de material semiconductor se le ataca con dos chorros muy delgados de electrólito y, al mismo tiempo, se hace pasar una corriente eléctrica, que origina una conexión por ambos lados; fruto de ésta es el espesor de la base, que llega a ser muy fina. Conseguido el espesor deseado, mediante un depositado electroquímico, con el material apropiado, se obtienen el emisor y colector:

Transistor mesa: Sobre una pastilla de material semiconductor P, que sirve de colector, se deposita, por difusión al vapor, una capa de material N. En una parte de esta capa, se sobrecompensan los donadores, mediante difusión de aceptadores y, así, se forma la zona P, que constituye el emisor. Para dotar de patillas de contacto al emisor y la base, (no al colector porque el propio chasis sirve), se puede utilizar el sistema de evaporar y depositar en forma de tiras un material adecuado en las zonas respectivas. El nombre lo recibe de su forma, semejante a una mesa:

Transistor epitaxial: Una pastilla de semiconductor P o N, con impurezas, sirve de portadora del transistor. Por medio de vapor, se deposita una capa de material semiconductor, análogo al de la pastilla, y se forma una red de capa epitaxial, cuya resistencia es superior a la del material portador. La capa epitaxial forma el colector y su contacto es la pastilla portadora. La base y el emisor, que se colocan a continuación, y por ese orden, sobre la capa epitaxial, se forman por la técnica de difusión o de aleación difusa. Por este método, se consigue reducir la resistencia del colector:

Transistor planar: Sobre una pastilla de material N, que servirá de colector, se produce una oxidación en la parte superior, que evita la propagación de impurezas. del emisor. Eliminado este óxido por procedimientos químicos, se deposita un nuevo material que forma la base y que se une al colector por difusión. Otra capa de óxido cierra los posibles puntos abiertos. De nuevo, por procedimiento químico, se abre otra ventana, sobre la base en esta ocasión, y, por igual procedimiento, se forman el emisor y la unión emisor-base. Se recubre de óxido el emisor y se proporcionan contactos a los tres cristales, encapsulando adecuadamente el conjunto:

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Hasta aquí esta breve descripción de los elementos activos de los circuitos eléctricos y electrónicos, fabricados con materiales semiconductores. En la próxima y última entrega comentaremos la fabricación de los llamados circuitos integrados.

RECORTES

Educación rechaza dar ayuda compensatoria a más de 8.000 universitarios con rentas bajas

Las universidades denuncian que el Gobierno impone un recorte en las becas a los desfavorecidos

El Ministerio de Educación ha denegado las ayudas que compensan desigualdades a más de 8.000 estudiantes de toda España que han ingresado este curso en la Universidad y que pertenecen a familias con unos ingresos muy bajos (de no más de 6.300 euros al año, para las de tres miembros, y de 8.400, para las de cuatro). Estas becas tienen el objetivo de ayudar a las familias deprimidas mientras sus hijos estudian en la Universidad. Educación, según las universidades, sólo concederá este curso y el próximo estas ayudas a las familias que, además de tener una renta baja, pertenezcan a colectivos muy desfavorecidos: huérfanos, familias numerosas o sustentadas por personas en paro, viudos, madres solteras o separados.

Más de 8.000 estudiantes que han ingresado en el curso académico 2001-2002 en las universidades españolas se han quedado sin recibir las denominadas ayudas compensatorias, que son complementarias a la beca que reciben para pagar sus estudios por pertenecer a familias con rentas bajas. Para recibir una ayuda compensatoria, los requisitos establecen que la renta familiar debe ser aún más baja que para acceder a otras (como la de matrícula).

Para tener una beca compensatoria este curso, las familias de los alumnos de tres miembros han de ingresar menos de 6.310 euros al año, y las de cuatro, menos de 8.444 euros. Una de ocho miembros, por ejemplo, no ha de superar los 16.200 euros. La cuantía de la ayuda ascendía este curso a 1.748 euros, una cantidad que representa, por ejemplo, el 28% y el 21% de lo que ingresan al año las familias de tres y cuatro miembros que pueden acceder a ellas, respectivamente. Si se tiene en cuenta la cuantía de cada beca, se calcula que este recorte asciende a unos 14 millones de euros.

Educación mandó un fax el 28 de mayo a las universidades anunciándoles que este curso se eliminaban estas ayudas para los estudiantes de nuevo ingreso que además de tener una renta baja no fueran de los colectivos ‘desfavorecidos’.

En la Universidad de La Laguna (Canarias), por ejemplo, se han quedado sin estas becas 452 estudiantes, y en la de Vigo, más de 300. Según las universidades, el número de alumnos afectados supera los 8.000 en toda España. Los estudiantes de otros cursos de bajas rentas, pero no de colectivos muy deprimidos que ya venían recibiendo estas ayudas, sí las han disfrutado este año, pero no las tendrán a partir del próximo. Esto se refleja en la orden publicada por el Ministerio de Educación por la que se convocan estas ayudas para el curso 2002-2003. En ella se señala como un nuevo ‘requisito’ para solicitarlas el pertenecer a los colectivos muy deprimidos. Hasta este curso se consideraba que pertenecer a esos grupos simplemente daba ‘prioridad’.

El rector de la Universidad de La Laguna, José Gómez Soliño, ha sido uno de los que ha enviado una carta de protesta a la ministra de Educación, Pilar del Castillo, por este recorte. En ella dice que está ‘muy preocupado’ por la exclusión de 452 estudiantes de estas ayudas ‘a pesar de cumplir los requisitos establecidos’. Según Gómez Soliño, la cantidad global que han dejado de percibir los becarios de su universidad ‘ronda el millón de euros’. ‘Lo ocurrido’, añade, ‘no tiene precedentes en nuestra universidad’. Según Gómez Soliño, ‘en La Laguna estudian 2.500 alumnos de familias que están por debajo del umbral de pobreza’. Éste estaba estimado en 2001 para España en unos ingresos de 4.900 euros anuales por hogar.

En el curso 2000-2001 recibieron ayudas compensatorias 37.674 alumnos, de los cuales más de 7.500 eran de primer curso. Las universidades disponen de datos exactos sobre los alumnos que solicitan ayudas compensatorias y cumplen los requisitos, ya que los interesados deben presentar las peticiones en los propios centros, que corroboran los datos y bareman las solicitudes antes de enviarlas al Ministerio de Educación. Estas ayudas se financian con la cantidad global que asigna a becas el Ministerio cada año y la cuantía exacta de las compensatorias depende del presupuesto aprobado ese año.

En la carta a la ministra, el rector de La Laguna concluye que esta medida ‘es difícilmente compatible con la afirmación’ de Pilar del Castillo, ‘en el debate sobre la Ley Orgánica de Universidades (LOU), de que el temor de los estudiantes a perder o ver reducidas sus becas y ayudas era infundado’.

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El PSOE tacha de ‘antisocial’ el rechazo del PP a dar 8.000 becas para rentas bajas

AGENCIAS. Diario "El País". Madrid. Domingo, 21 de julio de 2002

La secretaria de Educación del PSOE, Carme Chacón, calificó ayer de ‘antisocial’ la denegación por parte del Gobierno del PP de 8.000 becas para 8.000 universitarios con rentas bajas. Chacón exigió a la ministra de Educación, Cultura y Deporte, Pilar del Castillo, que explique esa reducción.

‘Desde que en 1996 llegó el PP al Gobierno’, dijo Chacón, ‘se han ido reduciendo las becas universitarias de ayuda al estudio, pero esto ya es un auténtico mazazo contra la igualdad de oportunidades. Ahora se reduce no sólo el número de ayudas compensatorias, sino también la cuantía. El Gobierno beneficia a las universidades privadas y perjudica a las públicas’. Chacón añadió: ‘Cada día estamos más alejados de la UE, tanto en financiación de nuestra universidad como en financiación a las familias para que sus hijos puedan acceder a la universidad’.

El PSOE anunció que solicitará la comparecencia parlamentaria de Del Castillo, con carácter urgente, para que explique, tras el periodo de vacaciones, por qué la inversión de España es hasta cuatro veces menor que la media de la UE en materia de universidades.

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Los rectores piden a Educación que dé las becas compensatorias denegadas

Las universidades solicitan la revisión global de la política de ayudas

Las universidades solicitan la revisión global de la política de ayudas. Los rectores consideran que el rechazo de las ayudas a 8.000 universitarios de familias con rentas bajas por parte del Ministerio de Educación atenta ‘contra la igualdad de oportunidades’ y solicitarán a la ministra de Educación, Pilar del Castillo, que ‘revise esta decisión’, según señaló ayer el presidente de la Conferencia de Rectores, Ignacio Berdugo. Las universidades pedirán además la ampliación de la política de becas.

El presidente de la Conferencia de Rectores de las Universidades Españolas (CRUE) aseguró que ‘abordará esta situación’ en la primera entrevista que mantenga con la ministra de Educación, presumiblemente este mes, y le pedirá ‘que se vuelva al régimen anterior, es decir, que se revise el recorte de las ayudas de este curso y que el criterio de pertenecer a un colectivo muy desfavorecido para recibirlas siga siendo complementario, como era hasta ahora, y no obligatorio’.

‘Esta medida supone lo contrario de lo que hay que hacer. Hay que aumentar la cuantía de las becas y el número de beneficiarios, máxime cuando se trata de un sector de los más desfavorecidos, que requieren una ayuda añadida para estudiar en la Universidad, lo que hace que afecte al principio de igualdad’, manifestó el presidente de los rectores.

El Gobierno ha denegado este curso las ayudas que compensan las desigualdades sociales a más de 8.000 estudiantes de toda España de primer curso de familias con rentas muy bajas. El ministerio ha incluido como obligatorio para estos alumnos el criterio de pertenecer además a colectivos muy desfavorecidos, como huérfanos, familias numerosas o sustentadas por personas en paro, viudos, madres solteras y separados.

Los estudiantes a los que el Gobierno ha rechazado dar estas ayudas pertenecen a familias que ganan, por ejemplo, menos de 6.310 euros al año, si son de tres miembros, y menos de 8.444, si son de cuatro. A partir del próximo año, este recorte afectará también a los estudiantes del resto de los cursos (no sólo a los del primero), que hasta ahora han recibido estas becas.

‘La orden que regula las becas del próximo curso agrava la situación porque se generaliza este nuevo criterio restrictivo’, explica Berdugo. Según el presidente de los rectores, ‘no se debe disminuir la partida económica para becas, sobre todo en un momento en el que se trata de impulsar el distrito único’. Berdugo recordó que el Informe Universidad 2000, o Informe Bricall, de los rectores ‘ya planteaba incrementar considerablemente las becas para homologarlas a la media de la UE y revisar globalmente la política de ayudas’.

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Del Castillo explica el rechazo de ayudas a 8.000 estudiantes pobres por atender a los desfavorecidos

MARTA AGUIRREGOMEZCORTA. San Lorenzo de El Escorial. Diario "El País". Miércoles, 24 de julio de 2002

La ministra de Educación, Pilar del Castillo, justificó ayer el rechazo de las ayudas compensatorias a 8.000 universitarios de familias con rentas bajas por la necesidad de atender ‘prioritariamente’ a los sectores más desfavorecidos. Del Castillo señaló que al haberse incrementado el nivel de renta por debajo del cual se puede pedir una beca de carácter general hay más alumnos que han solicitado ayudas compensatorias.

Educación mandó un fax el 28 de mayo a las universidades anunciándoles que este curso se eliminaban estas ayudas para los estudiantes de nuevo ingreso que además de tener una renta baja no fueran de los colectivos ‘desfavorecidos’, es decir, huérfanos, familias numerosas o sustentadas por personas en paro, viudos, madres solteras y separados. Para tener una beca compensatoria este curso, las familias de tres miembros han de ingresar menos de 6.310 euros al año, y las de cuatro, menos de 8.444 euros. Una de ocho miembros, por ejemplo, no ha de superar los 16.200 euros. Estas becas tienen el objetivo de ayudar a las familias deprimidas mientras sus hijos estudian en la universidad con una beca general.

Datos de la ministra

Pilar del Castillo ofreció ayer una batería de datos. Los umbrales máximos de renta familiar que dan derecho a una beca crecieron un 9,32% entre 1999 y 2002, dijo la ministra. Aseguró que el importe de ayudas compensatorias ha pasado de 158 a 174 millones de euros desde el curso pasado; y que la cuantía media de cada una de ellas ha crecido un 14,08% en ese periodo (de 1.476 euros a 1.684 euros). Entre el curso 1997/1998 y 2001/2002 el número de ayudas compensatorias creció un 60,98%, dijo. Y en éste último el 24,87% de los estudiantes que obtuvieron una beca además tuvieron ayuda compensatoria. También dijo se ha renovado la beca de compensación a todos los alumnos que ya la tenían.

Pero entre los estudiantes de nuevo ingreso el Gobierno ha denegado estas ayudas que compensan las desigualdades sociales a más de 8.000 estudiantes. Las pedían por primera vez en la universidad para estudiar una carrera y provienen de familias con rentas muy bajas.

La responsable de Educación de la Ejecutiva socialista, Carme Chacón, dijo que la ministra ‘no puede justificar lo injustificable’ y anunció que el partido socialista solicitará la habilitación de un crédito extraordinario para que estos 8.000 estudiantes puedan acceder a la universidad con ayudas compensatorias. ‘Esto demuestra la política antisocial del Gobierno, porque más de 8.000 alumnos cumplen con los requisitos de renta familiar y académicos y se han quedado sin esta ayuda por una falta de previsión del Gobierno del PP, que debe rectificar su política de becas’, añadió.

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Un estudio muestra que los futuros maestros tienen ‘alarmantes’ deficiencias en matemáticas

Los autores afirman que los alumnos de Educación no son peores que los de hace 25 años

CARMEN MORÁN. Diario "El País". Madrid. Jueves, 25 de julio de 2002

Los conocimientos matemáticos de los estudiantes del primer curso de la carrera de Educación son ‘alarmantes’. Baste decir que entre los alumnos que realizaron una prueba elaborada por la Universidad de La Laguna sólo un 18% supo diferenciar entre la hipotenusa y el cateto o que, preguntados por el precio de un abrigo de 15.000 pesetas si se le rebaja un 5%, varios se liaron con los cálculos y resolvieron dando al abrigo más precio del que tenía en origen. Los profesores universitarios, autores del estudio, piden una nueva formación inicial de los maestros que solucione estas deficiencias.

Los alumnos que se han sometido a esta prueba (895) proceden de la Universidad de La Laguna, Extremadura, Granada, Huelva, Las Palmas de Gran Canaria, Murcia y Zaragoza y su edad media es de 20 años. Han tratado de resolver 30 problemas matemáticos de primaria y secundaria divididos en cuatro bloques de conocimientos: números y operaciones (42% de aciertos), medida (48%), geometría (59%), análisis de datos, estadística y probabilidad (74%) y álgebra (57%).

El porcentaje de aciertos no satisface en absoluto a los profesores que han realizado el estudio, Josefa Hernández, Aurelia Noda, Mercedes Palarea y Martín Socas, del departamento de Análisis Matemático de la Universidad de La Laguna (Canarias). En dos bloques suspenden, en otros dos apenas superan el aprobado y sólo un tercero tiene un notable en aciertos. Y ello, a pesar de que estos estudiantes tienen fresco lo aprendido en secundaria.

Además de medir la capacidad de estos futuros maestros para resolver con éxito problemas matemáticos, se ponía a prueba su desenvoltura ante estos ejercicios, sin necesidad de cálculos, aplicando el sentido común o una interpretación certera que se aproximara a los resultados. Y ahí es donde han saltado las sorpresas. Por ejemplo, se les preguntó cuánto costaría un abrigo de 15.000 pesetas si le rebajaban un 5%: lo acertaron un 65%, pero entre los que fallaron había respuestas que en lugar de rebajar el abrigo aumentaban su precio. El archifamoso Teorema de Pitágoras también se les atasca a muchos: sólo un 18% acertó con la clave: la hipotenusa es mayor que los catetos.

En alguno de los ejercicios se pusieron pequeñas trampas. Se preguntó por el número de conejos y gallinas que hay en un corral si se cuentan en total 116 patas. Sólo un 6% de los estudiantes supo ver que faltaban datos para resolver el problema.

Los autores de este estudio sacan algunas conclusiones de los resultados obtenidos, que califican de ‘alarmantes’, pero antes de nada, explican que los alumnos de hoy en día no son peores que los de años anteriores, sino que en España ‘los resultados en este tipo de pruebas siempre han sido bajos’. De hecho no hay diferencias apreciables entre los alumnos que proceden del COU y los del bachillerato LOGSE. ‘No estamos peor que antes, es que no hemos mejorado nada en 25 años’, matiza Martín Socas.

Buscan la solución en una buena política de formación inicial del profesorado, porque estos estudiantes serán en el futuro maestros de primaria y enseñarán a niños a los que podrían transmitir de nuevo los errores y los miedos hacia la asignatura. ‘Y esta nueva ley de enseñanza que se anuncia vincula la calidad al rigor y el esfuerzo de los alumnos, pero olvida otra vez la formación de los profesores porque se ha hecho sin análisis básicos previos’, dice Socas.

De haber preguntado a estos profesores, la formación de los futuros maestros cambiaría. ‘Para mejorarla hay que detectar los errores, analizar en profundidad dónde están las dificultades y arbitrar planes de estudio que encaucen esta situación’, sugiere Socas.

Una de las quejas sobre los actuales planes es que dedican muy pocas horas al aprendizaje de las matemáticas, alrededor del 2% de todos los créditos de la carrera. Los autores del estudio consideran que es posible desarrollar un programa de matemáticas para la formación de futuros maestros común a todas las especialidades, porque se parte de deficiencias análogas, con independencia de la modalidad de bachillerato que se haya estudiado.

La actitud de los alumnos evaluados ante esta asignatura, que todos aprobaban con nota cuando eran pequeños y que se les fue atascando de mayores, es buena o muy buena en un 51%, sin embargo.

La muestra de estudiantes que han hecho esta prueba ‘podría ser representativa de lo que ocurre en todas las universidades, porque comparados los datos con otros de estudios anteriores no hay diferencias significativas’, explica Socas.

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Los rectores creen que la explicación de Educación no justifica el recorte de las becas

S. P. DE P. Diario "El País". Madrid. Jueves, 25 de julio de 2002

Los rectores consideran que la explicación que ha dado la ministra de Educación, Pilar del Castillo, ‘no justifica’ el rechazo de las ayudas compensatorias a 8.000 universitarios con bajos ingresos, según la Conferencia de Rectores de las Universidades Españolas (CRUE). Del Castillo ha manifestado que la reducción se debe a que se han atendido ‘prioritariamente’ a los sectores más desfavorecidos.

Los rectores resaltan que ‘éste es el primer año que se niega estas becas a los alumnos de bajos ingresos, alumnos que son también muy desfavorecidos, al igual los que las han recibido, aunque éstos además de pocos ingresos viven una situación personal muy dura -como los huérfanos o los hijos de parados-‘. ‘Con medidas de este tipo se está olvidando el esfuerzo que hacen las familias de esos 8.000 alumnos para que puedan ir a la Universidad, con lo que se pone en peligro la continuidad de los estudios de muchos de esos estudiantes’, añaden los rectores.

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WALTER McCRONE : El fraude de la Sábana Santa

ROCIO GALVAN . Diario "El Mundo". Sábado 27 de julio de 2002.

ucho antes de las pruebas del carbono 14, el científico estadounidense Walter McCrone desenmascaró el fraude de la Sábana Santa. En su empeño por buscar evidencias empíricas puso a grandes personajes de la Historia, como Napoleón o Beethoven, bajo la lente de su microscopio para averiguar nuevos datos sobre sus biografías desconocidos hasta entonces por los historiadores.

McCrone, para muchos el microanalista forense más reputado del mundo, falleció el pasado 10 de julio en Chicago a los 86 años.Este químico, obsesionado con el estudio de la polémica Sábana Santa desde que la vio por primera vez en los años 70, nunca se cansó de repetir que le hubiera fascinado que el sudario fuera auténtico. Pero la realidad científica se impone con frialdad ante la ilusión más fervorosa. «Tengo buenas y malas noticias -dijo cuando presentó su trabajo ante la sociedad para la investigación del Santo Sudario de Turín-. Las malas son que el sudario es una pintura. Las buenas, que nadie me cree». McCrone, pionero en el análisis con microscopios electrónicos, descubrió que los supuestos restos de sangre humana hallados en la tela eran tan sólo pigmentos de color ocre y bermellón muy utilizados en la Edad Media. Ya en 1980 auguró que si se realizara la prueba del carbono 14 a la Sábana Santa se comprobaría que no era auténtica.Y así fue. Tras arduos estudios, se confirmaron las teorías de McCrone: ya que se trataba de un lienzo de lino que fue confeccionado 13 siglos después de Jesucristo.

El químico fue más allá y planteó una hipótesis sobre cómo se pudo fabricar la controvertida sábana. McCrone mantenía que se había torturado a un modelo masculino para imitar las expresiones del sufrimiento humano, se le había embadurnado con pigmentos y cubierto con la tela hasta que su figura quedó impresa en ella.

Estos asombrosos y contundentes resultados ensombrecieron el fervor que suscitó la tela, que se convirtió para muchos en un símbolo palpable de la existencia de Cristo. El Vaticano terminó admitiendo que la Sábana Santa no fue el sudario que envolvió el cuerpo de Jesús, aunque considera que refleja su dolor de manera coherente con la tradición cristiana.

Entre sus estudios figura también un interesante hallazgo acerca de la vida de Beethoven, que arroja nuevos datos sobre los padecimientos del genial músico. A raíz del análisis de uno de sus cabellos, descubrió que contenía un alto índice de una sustancia venenosa, que pudo ser la causa de las alteraciones nerviosas que padeció al final de su vida, quizás incluso el origen de su sordera.

En cuanto a Napoleón Bonaparte, según McCrone, no parece muy posible que fuera envenenado en la isla de Santa Elena por la monarquía francesa, ya que el nivel de arsénico que halló en sus fibras capilares no era suficiente para causarle la muerte.

McCrone analizó también la autenticidad de otras reliquias arqueológicas, como el antiguo mapa de Norteamérica supuestamente dibujado por los vikingos alrededor del año 1440 que se conserva en la Universidad de Yale y que, según aseguró el científico, se trataba de una pieza que no databa de antes de 1920.

Walter McCrone era licenciado y doctor en química por la Universidad de Cornell. Fundó una empresa de accesorios y componentes para el diseño de microscopios. Publicó más de 600 artículos y fue el editor de una revista llamada The Microscope.

Walter McCrone, químico estadounidense, nació 9 de junio de 1916 en Wilmington (Delaware) y falleció el 10 de julio de 2002 en Chicago.

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Ciencia bajo mínimos

Diario "El País". Sábado, 10 de agosto de 2002

La situación de la política científica en España es tan lamentable que un pacto a largo plazo por la ciencia podría ser ya la única forma de iniciar una nueva etapa y sacar a la investigación española del estancamiento en que se encuentra. El cambio de Gobierno, en el que la ministra Anna Birulés ha devuelto al nuevo titular, su amigo Josep Piqué, el ministerio que éste antes ocupaba -aunque con otro nombre y tras una gestión desafortunada-, ni tranquiliza ni augura un renovado interés por un área básica para asegurar el futuro de cualquier país.

Que poco va a cambiar lo indica el que Piqué ya ha asegurado que se va a cumplir el objetivo fijado por el jefe del Gobierno para esta legislatura de dedicar a Investigación, Desarrollo e Innovación el 2% del producto interior bruto (PIB). Como en los dos primeros sumandos -I+D, los importantes y homologados internacionalmente- sólo se alcanza el 0,9% y no se vislumbra por ningún lado un incremento presupuestario, el resto (nada menos que un 1,1% del PIB) deberá venir, según el nuevo ministro, del nebuloso factor de la innovación, algo que ningún experto cree.

Si además se tiene en cuenta que dentro del citado 0,9% se incluyen importantes partidas destinadas a equipos militares que han superado hace años la fase de investigación y desarrollo, y que la mayor parte del presupuesto de 2001 de Ciencia y Tecnología para financiar proyectos de investigación no se ejecutó, el panorama es poco halagüeño. Ni siquiera la vistosa recuperación de cerebros va por buen camino: Mariano Barbacid ha denunciado una campaña de acoso y Joan Massagué está a punto de tirar la toalla antes de empezar.

El pueril empeño gubernamental en ocultar los verdaderos datos sobre la inversión en ciencia en España, que nos sitúan a la cola de Europa tras seis años de Gobierno del PP, parece basarse en el convencimiento de que el tema no es de suficiente interés electoral como para que vaya a suponer una pérdida de votos. Es posible que la sociedad española no tenga plena conciencia de la importancia de la investigación, pero sus dirigentes, y no sólo los políticos, sí deberían tenerla y apostar por un proceso que permita un marco estable a medio plazo en el que la ciencia funcione sin sobresaltos y con un aumento gradual en su financiación.

Si ese convencimiento no existe, es hora de reconocerlo así y apostar por un país esencialmente de servicios, imbricado en una Europa hacia cuyos miembros científicamente más fuertes se acabarán dirigiendo los españoles interesados. Todo lo demás es palabrerío.

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Cárcel por insultar al profesor

Hasta seis meses entre rejas para quien ultraje en Francia a un funcionario de la educación

JOAQUÍN PRIETO. Diario "El País". París. Miércoles, 4 de septiembre de 2002.

Según una nueva ley, los ultrajes, denuestos y demás violencias verbales de los alumnos mayores de 13 años podrán ser castigados con hasta seis meses de prisión.

Doce millones y medio de alumnos, desde la enseñanza preescolar a la secundaria, volvieron ayer a las aulas en Francia, pero la rentrée lleva esta vez aparejada una nueva amenaza que planea sobre las cabezas de los estudiantes: pueden ser condenados hasta a seis meses de prisión si insultan a un profesor o a un bedel. Y el cumplimiento efectivo de las penas de cárcel será posible incluso en las franjas del sistema educativo que en España equivalen a un tramo de la ESO, dado que la edad en que comienzan a exigirse responsabilidades penales ha sido rebajada a los 13 años, en virtud de una ley aprobada a la carrera este verano.

Conforme al texto legal, ultrajes, denuestos y demás violencias verbales acarrearán sanciones mucho más graves que la exigencia de trabajos sociales a los infractores -tal como ciertas tareas de limpieza- o la expulsión del centro escolar, que era el tipo de medidas que se aplicaba hasta el momento.

El código penal francés prevé pena de seis meses de prisión para el que insulte a una persona depositaria de la autoridad pública, consideración de la que ya gozaban los directores de los centros educativos. Lo nuevo consiste en que la protección represiva se extiende a todos los que trabajan en el sistema educativo francés, actualmente 1,3 millones de personas: de ellos, 870.000 son profesores en la enseñanza no universitaria.

Hecha la ley, salta la polémica y se airean las dudas: los autores de expresiones del tipo ‘¡hijo de puta!’, pongamos por caso, ¿serán reos de días, semanas e incluso meses entre rejas? La nueva norma, parca en casuística, permite ancho margen a la interpretación, al describir, como conductas delictivas, ‘palabras, gestos o amenazas, escritos o imágenes’ destinados a ‘atentar a la dignidad o respeto’ de los funcionarios públicos, así como el envío de objetos que tengan la misma finalidad.

Nadie está en este momento muy seguro de cómo aplicarán la normativa los tribunales. Ni de cómo llegarán a probarse judicialmente los hechos incriminados; por ejemplo, en el caso de que una cuadrilla de chicos testimonie que el profesor X miente cuando denuncia al coleguilla Fulano. Lo cierto es que en Francia la violencia escolar existe y que el número de denuncias por agresiones verbales se ha triplicado en tres años.

Hay quien supone que, al amparo de las nuevas normas, las denuncias se multiplicarán en los centros más conflictivos, mientras otros dudan de que profesores y administrativos denuncien a un adolescente por haber pronunciado unas palabras más o menos fuertes, sabiendo que eso podría acarrearle la entrada en prisión.

Los padres de alumnos quedan sujetos a las mismas sanciones, en caso de que ultrajen a un funcionario dentro de un centro escolar.

Georges Dupon-Lahitte, presidente de la Federación de Padres de Estudiantes, está que trina contra una medida que considera demagógica. ‘Si un profesor se pronuncia en términos racistas, y un alumno le interpela vivamente por ello, ¿le habrá insultado?’, se pregunta este dirigente. Pero en la Francia de hoy cunde el amor a la represión: una reciente encuesta atribuye amplios apoyos a las medidas contra los adolescentes violentos, que han sido promovidas por el Gobierno derechista de Jean-Pierre Raffarin desde su victoria electoral en junio pasado.

Si la protección va a ser, con tales disposiciones, teóricamente mejor frente a alumnos o padres levantiscos, la verdadera preocupación de los sindicatos es la sospecha de que el Gobierno pretende reducir el número de profesores.

La alarma se encendió en vísperas de la vuelta a las aulas, cuando el viceministro de Educación, Xavier Darcos, dijo que el año próximo serán suprimidos ‘2.000 o 3.000 empleos en el sistema educativo’, porque ‘no se puede tener menos alumnos y más profesores’. Su jefe, el ministro de de Educación, Luc Ferry, salió al quite de las protestas de los sindicatos de profesores, precisando que las reducciones anunciadas se limitarán a ‘puestos administrativos’ y que el sistema educativo precisa de discusiones sobre calidad y no sobre cantidades. En cualquier caso, se constata que la vuelta a las aulas en Francia, tras la instalación del Gobierno conservador, se ve perlada de polémicas.

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Los científicos creen que la situación de la ciencia en España ha mejorado, pero faltan investigadores

Margarita Salas y Bernat Soria afirman que «en el ámbito científico español no sobra nadie»

Diario "El Mundo". SANTANDER. Lunes 9 de septiembre de 2002.

Más que sobrar, el problema en España es que faltan.Según la presidenta del Instituto de España y profesora de Biología Molecular, Margarita Salas, y el investigador Bernat Soria «faltan científicos y dinero en la ciencia española».

En una entrevista conjunta, los expertos declaraban a Efe que «al Gobierno español le falta interés por la Ciencia», algo que la convierte en «Cenicienta», ya que «cuando hay que resolver un problema económico siempre se recurre a los fondos de investigación», subraya Soria.

Margarita Salas y Bernat Soria aseguran, no obstante, que para hacer una buena investigación no es necesario salir de nuestro país. «Cuando yo empecé mi tesis doctoral, las condiciones en España eran muy pobres y sí que había que irse de España, de hecho la Biología Molecular ni siquiera existía aquí y además no había financiación destinada a la investigación», comenta Salas.

Para Bernat Soria, «la situación ha mejorado sustancialmente en los últimos 20 años y hay excelentes científicos y grupos que están haciendo una labor muy competitiva a nivel internacional.Yo creo que la calidad es excelente y que está muy por encima del nivel de inversión que se hace».

«Desde hace 20 años la situación de la Ciencia en España ha cambiado drásticamente», según la discípula de Severo Ochoa, «y aunque en realidad somos pocos y necesitamos muchas más ayudas para que los jóvenes no se desanimen, en calidad científica estamos muy bien». Soria se mostraba de acuerdo con su colega y destacaba que «si nos referimos a que para investigar en ciertos temas hay que irse de España, entonces hay que contestar que no se trata de un problema científico, sino de una actuación administrativa.El investigador insiste en que «no hay que dramatizar, puesto que los científicos viajan mucho ya que tienen que colaborar y buscar sitios donde esté la respuesta a su problema».

En dos semanas Bernat Soria trasladará su sede de trabajo a Singapur, donde iniciará una investigación sobre la obtención de insulina a partir de células madre embrionarias humanas. En España se le impidió investigar con este tipo de células.

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